Donazioni 15 September, 2024 – 1 Ottobre, 2024 Sulla raccolta fondi

Моделирование нанотранзисторов в TCAD Sentaurus

Моделирование нанотранзисторов в TCAD Sentaurus

Калинин С.В., Черкаев А.С. и др.
Quanto ti piace questo libro?
Qual è la qualità del file?
Scarica il libro per la valutazione della qualità
Qual è la qualità dei file scaricati?
Методическое руководство к лабораторному практикуму. - Новосибирск, НГТУ, 2010. - 104 с.Курс «Математическое моделирование и проектирование наносистем» читается в соответствии с учебным планом по направлению 210600 – «Нанотехнология» в 8 семестре. Методическое руководство содержит описания четырех лабораторных работ по курсу. Изложенные в руководстве материалы будут полезны студентам и аспирантам всех форм обучения.Моделирование технологических параметров нанопереходов на базе основных оболочек и подсистем TCAD Sentaurus
Технологическое моделирование двумерной структуры моп-нанотранзисторов на напряженном кремнии
Сквозное моделирование электрофизических характеристик кремниевых полупроводниковых структур в TCAD Sentaurus
Моделирование электрофизических параметров и характеристик НENT-структур в TCAD Sentaurus
Lingua:
russian
File:
PDF, 2.47 MB
IPFS:
CID , CID Blake2b
russian0
Leggi Online
La conversione in è in corso
La conversione in non è riuscita

Termini più frequenti